核心特性：

超低功耗 (ULP)：通过阈值电压的精细调控及电路架构优化，显著降低动态功耗。

超低漏电 (ULL)：通过工艺器件优化，进一步抑制静态漏电流，实现PPA（性能、功耗、面积）综合性能的全面提升。

工艺优势：

在保持运算能力的前提下，大幅延长电池续航时间。

典型应用：

智能穿戴设备、物联网传感器节点、蓝牙/Wi-Fi低功耗通信芯片、医疗便携式监测设备、无源物联网芯片。
   

面向长续航设备打造的特色工艺组合。

28nm超低功耗和28nm超低漏电工艺

核心特性：

支持28V高压、8V中压及0.9V低压器件。

工艺优势：

高压/中压器件与标准CMOS工艺高度兼容，完美适配28nm逻辑平台IP。

典型应用：

智能手机及穿戴设备的OLED显示驱动芯片。
   

28nm高压工艺

面向OLED显示驱动市场打造的特色分支。相比40nm高压工艺，具备更低的功耗、更小的SRAM单元尺寸及更大的图像数据存储容量，满足高分辨率与低功耗的双重需求。

核心特性：

Logic器件兼容28nm Logic平台；Flash采用Split-Gate成熟存储单元架构。

工艺优势：

数据保持时间、擦写寿命、读取速度及功耗均满足严苛的应用场景需求；存储模块与标准CMOS工艺兼容性强，支持28nm逻辑平台IP。

典型应用：

工业控制芯片、智能卡芯片、物联网设备固件存储、消费电子参数存储、身份识别芯片
   

28nm嵌入式存储工艺

专注于非易失性存储集成，适配各类需要片上存储的芯片设计。相比40nm节点，存储单元功耗更低、面积更小，满足市场对功耗与容量不断提升的要求。

核心特性：

与Logic平台兼容性极强，仅需增加少量中后段光罩。

工艺优势：

具备读写速度快、低延迟及超低功耗特性。

典型应用：

工业控制芯片、微控制器（MCU）、物联网（IoT）、智能卡与安全芯片、存内计算应用
   

28nm特色存储工艺

面向嵌入式非易失性存储及存内计算（In-Memory Computing）需求, 包括阻变随机存取存储器(RRAM)和相变随机存取存储器(PCRAM) 。相比40nm平台，存储单元在功耗、面积及容量上均有显著优化。

核心特性：

深阱NFET噪声隔离、高Q值电感及高密度金属电容。

工艺优势：

与逻辑工艺无缝兼容，简化射频与数字电路的集成设计

典型应用：

射频及无线互联芯片，广泛应用于消费电子、通信、计算机及物联网领域。
   

28nm射频工艺

提供与逻辑工艺兼容的射频解决方案，配套完整的RFSPICE模型和PDK工具包。

核心特性：

采用低噪音器件及高稳定性电容。

工艺优势：

基于成熟的28nm逻辑制程技术，工艺成熟度高，良率优异。

典型应用：

安防监控、智能驾驶辅助系统（ADAS）、工业机器视觉及高端消费电子。
   

28nmISP工艺

面向高性能、低功耗视觉应用。。

28nm车规

专为汽车电子应用设计，确保极高的可靠性与安全性。

核心特性：

严格依据IATF 16949质量管理体系标准及AEC-Q100测试要求进行全流程质量管控与可靠性验证。

典型应用：

各类车规级芯片制造。