核心特性：

核心工作电压低至 0.9V；提供五种阈值电压选项；器件静态漏电流较标准 40nm Logic 工艺降低 60% 以上；支持超低漏电（ULL）器件与低电压 SRAM 集成。

工艺优势：

在维持基础运算能力的前提下，大幅延长电池续航；支持完整低功耗系统单芯片（SoC）集成；制程成熟，良率稳定，性价比突出。

典型应用：

智能穿戴设备、物联网传感器节点、蓝牙/Wi-Fi 低功耗通信芯片、医疗便携式监测设备及无源物联网芯片等。
   

面向电池供电及长续航设备打造的特色工艺，以超低漏电和低动态功耗为核心，满足物联网、可穿戴设备等超长待机需求。

40nm超低功耗工艺

核心特性：

高压 32V，中压 8V/6V，低压 1.1V。

工艺优势：

高压/中压器件与标准 CMOS 工艺完全兼容，无缝对接 40nm 逻辑平台 IP；提供极具竞争力的功耗表现和 SRAM 单元尺寸，满足客户对显示性能与功耗的双重严苛要求。

典型应用：

消费电子及智能手机的 LCD/OLED 显示驱动 IC。
   

40nm高压工艺

专为 LCD/OLED 显示驱动市场打造的特色分支。

核心特性：

Logic 器件兼容 40nm Logic 平台；Flash 采用成熟的 Split-Gate 存储单元架构。

工艺优势：

数据保持时间、擦写寿命、读取速度及功耗全面适配各类应用场景；存储模块与标准 CMOS 工艺高度兼容，无缝集成 40nm 逻辑平台 IP。

典型应用：

工业控制芯片、智能卡芯片、物联网设备固件存储、消费电子参数存储及身份识别芯片等。
   

40nm嵌入式存储工艺

专注于非易失性存储集成，满足芯片代码存储与数据存储的高可靠性及耐久性需求。

核心特性：

与 Logic 平台兼容性极强，仅需增加少量中后段光罩。 工艺优势：读写速度快、低延迟、超低功耗。

工艺优势：

读写速度快、低延迟、超低功耗。

典型应用：

工业控制芯片、微控制器（MCU）、物联网（IoT）、智能卡与安全芯片、存内计算（In-Memory Computing）。
   

40nm特色存储工艺

涵盖阻变随机存取存储器（RRAM）和相变随机存取存储器（PCRAM），通过新材料与器件架构，为嵌入式非易失性存储及存内计算提供高速、低功耗、高密度解决方案。

核心特性：

深阱NFET 噪声隔离、高阻多晶硅电阻、高 Q 值电感、高密度金属电容。

工艺优势：

与逻辑工艺无缝兼容，简化设计流程。

典型应用：

消费电子、通信设备、计算机及物联网终端。
   

40nm 射频工艺

提供与逻辑工艺兼容的射频技术解决方案，配套完整的 RF SPICE 模型和 PDK 工具包。

核心特性：

低噪声器件、高稳定性电容。

工艺优势：

基于成熟的 40nm 逻辑制程技术，工艺稳定性高。

典型应用：

安防监控、智能驾驶辅助系统（ADAS）、工业机器视觉及高端消费电子。。
   

40nm ISP工艺

专为高性能、低功耗视觉应用打造的先进半导体解决方案。

40nm车规级工艺

严格遵循汽车电子质量标准的高可靠性工艺平台。

核心特性：

全制程依据 IATF 16949 质量管理体系标准执行，并按照AEC-Q100 测试要求进行严格验证。

典型应用：

各类车规级控制芯片及传感器。